天岳先进IPO：下游需求强劲驱动未来成长 积极抢占第三代半导体发展高地

半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。

其中，碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。

据悉，目前碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。

近期，递交IPO申请的山东天岳先进科技股份有限公司，就是第三代半导体领域的一家实力厂商。根据公开资料显示，天岳先进是国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。

国家产业政策大力助推，行业发展迎来重要机遇期

近年来，国家政策层面的大力支持，无疑为第三代半导体行业的发展注入了强劲的动能。

目前，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。

因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。

回顾政策历程，中央及地方政府颁布一系列密集政策推动SiC产业发展，彰显出国家对抢占第三代半导体战略制高点的高度重视。

具体来看，2015年5月，国务院印发《中国制造2025》，在电子信息领域的规划中明确提出要大力发展第三代半导体产业；2016年11月，国务院印发《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》，提出加快制定宽禁带半导体标准布局，促进新材料产品品质提升；2017年1月，工信部等四部门联合引发《新材料产业发展指南》，提出面向智能输变电装备领域，突破大尺寸碳化硅单晶及衬底、外延制备及模块封装材料技术；2020年8月，国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设。

下游应用领域场景广阔，需求持续释放市场前景广阔

在下游应用领域，碳化硅应用的领域丰富和场景众多，这无疑会为身处其中的企业带来增长的机会，并拓展行业发展的宽度和广度。

据悉，碳化硅可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。

据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。

另外，相关市场研究人士表示，“无论是新能源汽车还是5G基站，行业增长还是非常明显的，对碳化硅功率器件需求增长量也在加大，这点毋庸置疑的。”

随着下游终端需求不断向好，第三代半导体的需求亦有望持续释放。同时叠加国家政策对第三代半导体发展的大力支持，行业潜在市场空间巨大。

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