近日，有媒体报道，IBM与三星联手研发1nm芯片，在关键制造技术节点迎来重大突破-VTFET技术（垂直传输场应晶体管技术）。据悉，VTFET技术以垂直方式进行堆叠，让芯片的电流以垂直的方式进行流通，进而实现1nm及以下芯片制程工艺。
除了工艺上的突破，性能和功耗方面也有不俗的表现，理论上芯片性能将会提升200%，而功耗会同期下降85%。如果真的实现，未来移动设备（包括手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备）的续航将大幅提升。不过，现在能够实现1nm及以下光刻机厂家只有荷兰的ASML一家的光刻机精度达到了要求，可以实现埃米级光刻工艺。
IBM&三星共同研发突破1nm芯片重要制程技术
ASML光刻机是关键设备