三星电子完成HKMG DDR5内存颗粒批量出货

IT之家9月16日消息，三星电子于去年开始将DDR5 DRAM商业化，这是在行业中首次应用High-K Metal Gate(HKMG)工艺开发的DRAM技术。

分析机构Tech Insights表示，三星电子已经向芝奇（G.Skill）提供了基于高K金属栅极（HKMG）技术的DDR5 DRAM内存颗粒。

“我们已经确认三星电子的HKMG DDR5 DRAM应用于芝奇Trident Z5系列产品中”。该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。

TechInsights一直在拆解市场上的各种IT产品，并分析设备中嵌入的芯片信息。通过这次拆解，TechInsights揭示了三星电子HKMG DDR5 DRAM的量产产品，并放出了其内部电路照片。

IT之家了解到，三星电子于去年3月首次宣布DDR5 DRAM开发成功，在业界首次实现 HKMG工艺大规模应用。据介绍，DDR5数据处理速度是DDR4的两倍，起步就能到4800MHz，而且容量也会得到提升，但延迟相对上升。

HKMG技术传统上应用于逻辑半导体器件，与传统材料技术相比，HKMG可明显改善漏电情况，三星方面曾表示该技术可减少内存功耗约13%，对注重能源效率的数据中心等应用有重要意义，不过三星并未披露内存的实际商业化情况，只是表示，“我们计划在下一代中根据客户需求及时将内存商业化。