1.中科院GAA晶体管制造工艺取得突破，助力3nm以下节点
2.OPPO成功无效诺基亚一项美国标准必要专利，涉及4G/5G相关技术
3.华虹宏力“沟槽栅半导体器件及其制造方法”专利获授权
4.汇顶科技“电压攻击检测电路和芯片”专利获授权
5.汇顶科技“芯片电极开窗的方法和芯片”专利获授权
6.华为“一种通信方法及相关装置”专利获授权
1.中科院GAA晶体管制造工艺取得突破，助力3nm以下节点
集微网消息，根据中国科学院10月23日消息，近日中科院微电子研究所先导中心研究员殷华湘团队，在GAA晶体管制造工艺上取得突破。随着传统鳍形晶体管FinFET技术遇到瓶颈，3nm以下节点采用GAA结构是未来的发展方向。中科院这项成果，改善了GAA晶体管的关键性能，解决了N型与P型器件的电学性能失配问题，有利于我国在3nm以下半导体制成技术方面进一步攻关。
根据官方介绍，GAA晶体管技术需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等挑战。这对纳米片沟道材料和高κ金属栅材料提出了更多的技术创新要求。因此，针对GAA晶体管进行器件结构创新，已成为未来逻辑器件工艺研究的重要方向。中科院微电子研究所的团队，基于主流GAA晶体管制造工艺，在体硅衬底上通过调整SiGe/Si叠层外延中底部SiGe层的Ge含量，并在后栅沟道中采用纳米级高选择比SiGe层刻蚀技术，设计并制备出沟道结构类似鱼骨状的GAA器件（FishboneFET）。
由于在传统堆叠Si纳米片间引入额外的应变SiGe nano-fin结构，在相同的平面投影面积下大幅增加了GAA器件中的沟道导电面积并提升了P型器件的驱动性能。相比同类型的树型（Tree-like）GAA器件（TreeFET），该研究设计的FishboneFET进一步改善了N型与P型器件的电学性能失配问题，并利用单一功函数金属栅材料实现了面向CMOS器件的阈值调控，解决了FishboneFET晶体管在CMOS集成中的关键问题。
科研团队基于上述创新技术，研制出兼容主流GAA器件工艺的CMOS FishboneFET和TreeFET器件，获得高的N/PFET器件电流开关比。科研团队还提出了应变SiGe nano-fin中的价带补偿理论，解释了新结构中的特殊电学效应，为新型GAA晶体管导入高性能CMOS集成电路应用建立了关键技术路径。
相关研究成果以Investigation of Fabricated CMOS FishboneFETs and TreeFETs With Strained SiGe Nano-Fins on Bulk-Si Substrate为题，发表在《电气和电子工程师协会电子器件快报》（IEEE Electron Device Letters）上。根据官方介绍，这项研究工作得到中国科学院战略性先导科技专项（A类）和国家自然科学基金等的支持。
2.OPPO成功无效诺基亚一项美国标准必要专利，涉及4G/5G相关技术
集微网消息，9月28日，美国专利商标局根据OPPO向专利审判及上诉委员会提起的专利无效请求宣告诺基亚一项标准必要专利无效。
去年3月，OPPO在美国专利商标局专利审判及上诉委员会通过多方复审程序申请无效诺基亚一项名为“用于根据SDU分段格式化PDU的方法、装置和计算机程序产品”的美国标准必要专利，专利号为US10701588，涉及4G/5G相关技术。
据悉，US10701588专利涉及的是LTE系统中RLC层的分段处理技术。该专利宣称可以通过其披露的特定的分段技术将SDU分割并分配到下一层级的PDU，从而减小分段处理的开销，并提高无线通信数据的处理和传输效率。
3.华虹宏力“沟槽栅半导体器件及其制造方法”专利获授权
集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“沟槽栅半导体器件及其制造方法”专利获授权，授权公告日为10月20日，授权公告号为CN110739347B。
图片来源：天眼查
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，沟槽栅包括形成于半导体衬底中沟槽、形成于所述沟槽的底部表面和侧面的栅氧化层；栅氧化层由第一氧化层和第二氧化层叠加而成；第一氧化层为炉管热氧化层；第二氧化层为PECVD氧化层；栅氧化层具有通过RTA处理的热致密结构；利用沟槽中形成的PECVD氧化层具有底部表面的厚度大于侧面厚度的特性，使栅氧化层具有位于沟槽的底部表面的厚度大于位于沟槽的侧面的厚度的结构。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。
据悉，本发明能提高器件的BVGSS，同时不影响器件的阈值电压，工艺简单且成本低。
4.汇顶科技“电压攻击检测电路和芯片”专利获授权
集微网消息，天眼查显示，深圳市汇顶科技股份有限公司“电压攻击检测电路和芯片”专利获授权，授权公告日为10月20日，授权公告号为CN111670367B。
图片来源：天眼查
专利摘要显示，提供一种电压攻击检测电路和芯片，所述电压攻击检测电路包括：至少一个电压调节电路；所述至少一个电压调节电路分别连接至外部电源，所述至少一个电压调节电路用于将所述外部电源转化为至少一个内部电源，所述至少一个内部电源分别用于输出至少一个第一电压；至少一个电压传感器；其中，所述至少一个电压传感器分别连接至所述至少一个内部电源，以分别接收所述至少一个第一电压，所述至少一个电压传感器中的每一个电压传感器用于基于接收到的参考电压和接收到的第一电压输出第一信号，所述第一信号用于指示所述接收到的第一电压是否位于预设电压范围内。
据悉，所述电压攻击检测电路能够对全电源域于进行电压攻击防护。
5.汇顶科技“芯片电极开窗的方法和芯片”专利获授权
集微网消息，天眼查显示，深圳市汇顶科技股份有限公司“芯片电极开窗的方法和芯片”专利获授权，授权公告日为10月20日，授权公告号为CN110998851B。
图片来源：天眼查
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种芯片电极开窗的方法和芯片，所述方法包括：采用光刻工艺制备芯片上方的第i层功能层，所述第i层功能层不覆盖所述芯片的电极开窗区域，其中，i为小于N的正整数，N为大于1的整数；采用可溶解层填平所述芯片的电极开窗区域；在所述芯片上方的第N‑1层功能层和填平的所述电极开窗区域的上方，采用光刻工艺制备所述芯片上方的第N层功能层，所述第N层功能层不覆盖所述芯片的电极开窗区域；使用溶剂溶解所述可溶解层，得到所述芯片的电极的开窗。
据悉，本申请实施例的技术方案，能够提高电极开窗效率，从而提高芯片产能。
6.华为“一种通信方法及相关装置”专利获授权
集微网消息，天眼查显示，华为技术有限公司“一种通信方法及相关装置”专利获授权，授权公告日为10月20日，授权公告号为CN115885496B。
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专利摘要显示，本申请实施例提供一种通信方法及装置，应用于支持短距离通信的节点中，例如蓝牙或者车载短距通信系统中，该方法包括：接收来自第二节点的关联请求消息；确定第一通信组的组密钥，其中，第一通信组为第二节点所在的通信组；基于第一节点与第二节点之间的共享密钥对第一通信组的组密钥进行加密，得到第一保护密钥；向第二节点发送第一关联建立消息，该第一关联建立消息包括第一保护密钥。采用本申请实施例，能够提高组播通信的安全性。
据悉，该方案进一步可用于提升自动驾驶或高级驾驶辅助系统ADAS能力，可应用于车联网，例如车辆外联V2X、车间通信长期演进技术LTE‑V、车辆‑车辆V2V等。