中国芯崛起！澜起科技成功试产第三代DDR5芯片

澜起科技在业界率先试产第三代DDR5寄存时钟驱动器芯片M88DR5RCD03，这款芯片应用于DDR5 RDIMM内存模组，旨在提升内存数据访问的速度和稳定性。该芯片支持高达6400MT/s的数据速率，相较于第二代产品提升了14.3%，相较于第一代产品提升了33.3%。

与DDR4时代的RCD产品相比，该款芯片采用双通道架构，支持更高的存储效率和更低的访问延时。此外，它还采用1.1V VDD和1.0V VDDIO电压，并支持多种节电模式，功耗显著降低。单模组最大容量可达256GB。

澜起科技总裁Stephen Tai表示：“我们非常荣幸能够在第三代DDR5寄存时钟驱动器芯片的研发和试产中保持行业领先。我们将继续与国际主流CPU和DRAM厂商紧密合作，以助力DDR5服务器大规模商用。”

英特尔内存与IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特尔一直是DDR5内存技术和生态系统发展的引领者，支持可靠和可扩展的行业标准。我们很高兴看到澜起科技在最新的内存接口芯片上取得新进展。这些芯片可以与英特尔下一代E核和P核至强®CPU配合使用，以实现CPU释放强劲性能。”

三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae先生表示：“三星一直致力于研发最新一代内存产品来满足对高容量和高速度需求快速增长的应用。我们期待与澜起继续保持稳定的合作关系，不断改进和完善 DDR5 内存产品标准，并推动产品的迭代创新。”

除 RCD 芯片外，澜起科技还提供 DDR5 数据缓冲器（DB）、串行检测集线器 (SPD Hub)、温度传感器 (TS) 和电源管理芯片 (PMIC) 等内