重庆奕能申请半导体结构制造方法专利,提高半导体制造工艺水平

金融界
2025-04-10 18:50 来自北京

金融界2025年4月10日消息,国家知识产权局信息显示,重庆奕能科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制造方法”的专利,公开号CN 119786437 A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本申请公开了一种半导体结构的制造方法,包括在半导体层上形成膜层;在所述膜层上形成图案化的抗蚀剂层;经由图案化的所述抗蚀剂层刻蚀所述膜层,以将所述抗蚀剂层的图案转移至所述膜层中;以及去除所述抗蚀剂层;其中,采用含氧成分的等离子体以及含氟成分的等离子体去除所述抗蚀剂层和刻蚀产物。

天眼查资料显示,重庆奕能科技有限公司,成立于2023年,位于重庆市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本640.9775万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆奕能科技有限公司共对外投资了3家企业,财产线索方面有商标信息2条,专利信息22条。

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