金融界2025年5月29日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP控股有限公司申请一项名为“用于在沟槽的侧壁或平坦表面上选择性地形成氮化硅膜的方法”的专利，公开号CN120048738A，申请日期为2018年05月。
专利摘要显示，一种用于在沟槽中制造层结构的方法包括：同时在所述沟槽的上表面、以及底部表面和侧壁上形成含有Si‑N键的介电膜，其中形成于所述上表面和所述底部表面上的所述膜的顶部/底部部分以及形成于所述侧壁上的所述膜的侧壁部分借助通过在两个电极之间施加电压被激发的等离子体的轰击而被赋予不同的耐化学品特性，衬底平行于所述两个电极放置在所述电极之间；以及通过湿法蚀刻基本上去除所述膜的所述顶部/底部部分和所述侧壁部分中的任一个，但不是两者，所述湿法蚀刻根据所述不同的耐化学品特性相比于另一个更主要地去除所述膜的所述顶部/底部部分和所述侧壁部分中的一个。