广州开发区、黄埔区:支持光刻、清洗、刻蚀、离子注入、沉积等设备、关键零部件及工具国产化替代

广州开发区、黄埔区:支持光刻、清洗、刻蚀、离子注入、沉积等设备、关键零部件及工具国产化替代

【广州开发区、黄埔区:支持光刻、清洗、刻蚀、离子注入、沉积等设备、关键零部件及工具国产化替代】财联社6月17日电,《广州开发区 黄埔区支持集成电路产业高质量发展若干政策措施》近日发布。其中提出,鼓励发展光掩模、电子气体、光刻胶、抛光材料、高纯靶材等高端半导体和传感器制造材料。积极引进国内重点基础材料企业,稳步提升关键基础材料供应能力。重点围绕集成电路制造关键部件和系统集成开展持续研发和技术攻关,支持光刻、清洗、刻蚀、离子注入、沉积等设备、关键零部件及工具国产化替代。对于新引进的固定资产投资1000万元以上的产业化项目,且政策有效期内实现小升规的企业,按照不超过其设备和工器具投资额的15%分档给予扶持,最高1000万元。

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