金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，先导薄膜材料（广东）有限公司申请一项名为“一种Si掺杂的P型半导体GaSb靶材及其制备方法”的专利，公开号CN120291031A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种Si掺杂的P型半导体GaSb靶材及其制备方法，所述靶材中Ga与Sb的原子比为1:1~1.005，Si的掺杂量为靶材总质量的1~5%。本发明中Si掺杂的P型半导体GaSb靶材可以通过溅射制备P型GaSb薄膜，而且可以提高P型GaSb薄膜的载流子浓度，改善P型GaSb薄膜的性能，简化P型GaSb薄膜的制备工艺。
天眼查资料显示，先导薄膜材料（广东）有限公司，成立于2014年，位于清远市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本14000万人民币。通过天眼查大数据分析，先导薄膜材料（广东）有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目59次，专利信息702条，此外企业还拥有行政许可155个。