金融界2025年7月30日消息，国家知识产权局信息显示，武汉脉冲芯电子科技有限公司申请一项名为“一种基于SiC DSRD的级联高压脉冲触发电路”的专利，公开号CN120389738A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请属于电力电子器件技术领域，具体公开了一种基于SiC DSRD的级联高压脉冲触发电路。所述级联高压脉冲触发电路由第一级结构和第二级结构串联而成；第一级结构包括多个并联的支路结构，各个支路结构完全相同，每个支路结构包括单只SiC DSRD，用于提供一个反向电流；第二级结构包括单只SiC DSRD，用于反向提取第一级结构汇聚的多个反向电流，在负载电阻上产生高压脉冲。本申请通过多条支路并联为后级（输出级）SiC DSRD提供更大的反向抽取电流，从而降低输出脉冲上升时间；同时后级（输出级）SiC DSRD由一个单独的电容进行正向泵浦，保证了更大的正向泵浦电荷，从而增加单个SiC DSRD的输出脉冲电压。
天眼查资料显示，武汉脉冲芯电子科技有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉脉冲芯电子科技有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可1个。