金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际有限公司申请一项名为“在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法”的专利，公开号CN120452511A，申请日期为2021年12月。
专利摘要显示，实施例提供了在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法。本公开涉及一种包括非易失性存储器(NVM)的集成电路。该集成电路包括偏置生成器，该偏置生成器产生用于NVM的可靠读取操作的稳定字线电压和位线电压。本公开涉及存储器读取、擦除验证和编程验证的低电压存储器操作。本公开涉及非易失性存储器电路，该非易失性存储器电路也可以在数字电压供应范围内的低电源电压处操作。