2026年2月2日，英特尔官宣与软银子公司SAIMEMORY合作，共同研发ZAM（Z-Angle Memory）新型内存技术。这既是英特尔适配AI与高性能计算需求的重要布局，更标志着这家巨头自1985年退出DRAM市场后，时隔数十年强势回归！
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根据双方发布的消息，合作将于2026年第一季度启动相关运营，并预计在2027年推出原型机。另据日经与Wallstreet.cn报道，SAIMEMORY计划在2028年初完成原型准备，商业产品于2029年跟进，计划在2030年实现全面商业化。
那双方在此次合作中是如何分工的？英特尔负责技术研发、创新及标准制定，SAIMEMORY主导技术落地与商业化，软银更是直接砸钱，计划2027财年原型阶段投约30亿日元。
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值得一提的是，ZAM并非从零摸索，其技术基础可追溯至美国能源部支持的AMT先进内存研发项目。该项目与桑迪亚、劳伦斯利弗莫尔和洛斯阿拉莫斯国家实验室协同推进，英特尔也曾深度参与，为堆叠DRAM相关路径完成过关键验证，从而在一定程度上降低了试错成本。
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ZAM的野心，在于超越当下主流的HBM内存技术，解决AI系统扩展时面临的容量、功耗、封装三大难题。从技术定位来看，ZAM技术本质是堆叠式DRAM架构，核心技术源自英特尔NGDB计划。据桑迪亚国家实验室2026年1月披露，英特尔已制备4个NGDB测试组件，每个组件均以基板为依托，垂直堆叠8层DRAM芯片，且最新原型已实现完整功能，技术成熟度可见一斑。
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ZAM的“Z角”设计是其最大的亮点。它摒弃了传统内存垂直钻孔的连接方式，采用斜向互连拓扑结构，搭配铜对铜混合键合、无电容设计，再辅以英特尔成熟的EMIB连接技术，既提高硅片利用率，又实现高存储密度与低热阻。
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相较于当前主流的HBM内存，ZAM技术的核心优势十分突出：功耗可降低40%-50%，单芯片容量最高可达512GB（是现有HBM内存容量的2-3倍），而量产成本仅为HBM的60%，真正实现了性能、容量与成本的精准平衡。
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回望过往，英特尔曾是DRAM领域的王者。 1970年，英特尔推出1103芯片，巅峰时期拿下近90%的全球市场份额，后因日本厂商的激烈角逐与持续亏损，无奈退出该赛道。如今，AI基建热潮带动DRAM需求呈爆发式增长，全球供应商数量有限造成的市场缺口，恰好为英特尔的回归铺平了道路，而与软银的联手，更让其多了一份破局的底气。对软银而言，此次合作可收获专属内存栈，未来有望优先应用于自家Izanagi系列定制ASIC产品，进一步掌握产品架构布局的主动权。
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当下，英特尔正面临CPU市场承压、代工亏损、AI芯片滞后等困境，ZAM或许是其突破困境的关键。这场技术与资本的携手，或许既能让英特尔重现荣光，也能为AI存储行业注入新活力。