观点网讯：7月21日，三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代V-NAND并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND产能，并推进第十一代500层级V-NAND开发。
根据公开资料整理，三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能，其中约60%产能分配给V9产品。V10存储密度较V9提升50%以上，V11则已进入试产阶段，下半年试产规模将翻倍。
据介绍，此次合作旨在满足英伟达AI服务器对高性能存储芯片的爆发式需求，三星凭借产能优势进一步巩固其在NAND闪存市场的领先地位。
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