证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202310943290.2，授权日为2026年8月28日。
专利摘要：本公开提供了一种半导体结构的制备方法，其包括：提供衬底，衬底包括阵列区、第一外围区和第二外围区；在衬底上形成依次层叠的第一硬掩模层和第二硬掩模层，第一硬掩模层和第二硬掩模层均具有露出第一外围区的开口，第一硬掩模层的材料不同于第二硬掩模层的材料；以第二硬掩模层为掩模，在第一外围区上形成第一外延层，第一外延层的材料不同于衬底的材料；去除第二硬掩模层；以第一硬掩模层为掩模，在第一外延层上形成第二外延层，第二外延层的材料不同于第一外延层的材料；以及，去除第一硬掩模层。
今年以来长鑫科技新获得专利授权39个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。
通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1084次；财产线索方面有商标信息420条，专利信息715条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。
数据来源：天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。