证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种HfO2/IGZO高选比蚀刻液及其制备方法与应用”，专利申请号为CN202411636330.X，授权日为2026年9月4日。
专利摘要：本发明提供一种HfO2/IGZO高选比蚀刻液，所述高选比蚀刻液由氢氟酸1~10%，有机酸10~50%，螯合剂0.5~5%，阳离子表面活性剂0.01~0.5%，余量为水。其中有机酸可有效减少体系中F‑含量，抑制IGZO的蚀刻速率，从而提高蚀刻液对HfO2的选择性蚀刻。螯合剂可与有机酸作为协同酸体系，进一步提高Hf4+的溶解能力。本发明所诉的高选比蚀刻液HfO2/IGZO选择比均超过最高到达4.1，HfO2蚀刻速率可达11Å/s。
今年以来兴福电子新获得专利授权62个，较去年同期增加了113.79%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4218.31万元，同比增7.51%。
通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目263次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息549条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可290个。
数据来源：天眼查APP
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