证券之星消息，根据天眼查APP数据显示上海贝岭（600171）新获得一项发明专利授权，专利名为“内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法”，专利申请号为CN202311826758.6，授权日为2026年9月8日。
专利摘要：本公开提供了一种内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括金属化漏极、N型衬底、N+缓冲层、多层N‑外延层、P型体区、JFET区、P+接触区、N+源区、栅氧化层、N型多晶硅栅极、二氧化硅层间介质、P型多晶硅和金属化源极；JFET区位于两个P型体区的中间；P型多晶硅设于两个N型多晶硅栅极的中间位置，位于JFET区的上方，P型多晶硅与JFET区形成异质结二极管。本公开通过在两个N型多晶硅栅极的中间位置设置P型多晶硅，以与JFET区形成异质结二极管，减小了单个碳化硅MOSFET元胞的面积，增大了沟道密度，增大了电流密度，减小了整个MOSFET的尺寸，降低了工艺成本。
今年以来上海贝岭新获得专利授权11个，较去年同期增加了57.14%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2.48亿元，同比增23.45%。
通过天眼查大数据分析，上海贝岭股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目113次；财产线索方面有商标信息18条，专利信息689条，著作权信息22条；此外企业还拥有行政许可72个。
数据来源：天眼查APP
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