观点网讯：9月10日，据媒体报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储已启动第四代高带宽内存HBM3的试产，但初期良率停留在25%水平。
报道称，长鑫存储目前的产出中4个里有3个是废品。SK海力士自2022年起量产同类HBM3产品，良率已超过90%。
半导体行业公认的量产黄金良率为80%，长鑫存储目前仅达到其三分之一。
另据9月9日行业消息，熟悉长鑫存储情况的半导体设备行业高管透露，长鑫8层堆叠HBM3产品的前端工序良率约30%，其中能通过后端工序最终检测的为七成左右。
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