格隆汇9月11日丨通富微电(002156.SZ)在互动平台表示，公司持续围绕存储封装在高堆叠、高密度、高良率等方向开展技术储备和工艺优化，持续提升存储封测产品的性能与可靠性。例如，公司已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术，具备LPDDR 12DP工程能力开发基础，在高层数存储堆叠封装领域形成了较为扎实的技术积累。
通富微电(002156.SZ)：已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术
“特别声明：以上作品内容(包括在内的视频、图片或音频)为凤凰网旗下自媒体平台“大风号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储空间服务。
Notice: The content above (including the videos, pictures and audios if any) is uploaded and posted by the user of Dafeng Hao, which is a social media platform and merely provides information storage space services.”