证券之星消息，通富微电(002156)09月11日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。
投资者：公司3季度，封测订单充足吗？有没有提价？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！公司部分订单较为充足。公司具备较完善的产品价格管理体系，会综合考虑市场供需、生产成本、原材料价格等多方面因素来进行价格调整，最终由公司与客户根据市场化原则，协商确定封测价格。公司将时刻关注客户业务发展情况，时刻关注终端应用市场变化，致力于抓住新的业务机会，获得更多的订单。谢谢！
投资者：今年封测材料成本涨价多吗？对公司成本影响大吗？公司有准备发展上游材料产业吗？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！公司主要原材料有稳定的供应渠道。公司具备较完善的产品价格管理体系，会综合考虑市场供需、生产成本、原材料价格等多方面因素来进行价格调整，最终由公司与客户根据市场化原则，协商确定封测价格。谢谢！
投资者：公司做芯片封测业务，有没有考虑开展芯片设计研发业务？发展成一体化公司呢？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！公司是集成电路封装测试服务提供商，为全球客户提供从设计仿真到封装测试的一站式服务。公司多年专注主业，深耕集成电路封装测试领域。目前暂无发展成一体化公司的想法。谢谢！
投资者：董秘您好，众所周知，台股上市公司健策目前在全球高端散热盖板（LID）市场占据垄断地位。请问公司目前在AI芯片先进封装项目中，对健策的采购依赖度有多高？是否有具体的供应商多元化策略，以降低单一供应商带来的供应链风险？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！供应商信息属于公司商业机密，我们无法回复，给您带来不便，敬请谅解！公司封装测试所需的主要原材料国内外均有供应，建立了稳定的供应渠道。此外，公司时刻关注自主可控、国产替代、设备材料国产化的政策及产业趋势，从中抓住机会，实现供应链的多元化。谢谢！
投资者：董秘您好，随着AI芯片功耗不断提升，散热成为先进封装的核心瓶颈。请问公司目前在自研散热结构或新型散热材料方面是否有实质性突破？随着先进封装产能的扩张，散热环节的国产替代能否成为公司后续毛利率提升和业绩释放的实质性催化？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！2026年上半年，公司深耕2D+多维堆叠先进封装，以VISIONS 平台为核心支撑，集成硅中介层、垂直堆叠及嵌入式多桥接等多元技术方案，实现多颗Chiplet异构集成与更高互连密度、更优能效比。技术层面，硅通孔（TSV）间距持续微缩，散热与翘曲控制达行业领先水平。此外，公司时刻关注自主可控、国产替代、设备材料国产化的政策及产业趋势，从中抓住机会，为股东创造价值。谢谢！
投资者：董秘您好，相较于台积电、日月光等全球同行，公司在先进封装散热解决方案上的核心竞争力体现在哪里？目前国产散热盖板及材料的验证周期是否已大幅缩短？公司是否有明确的量化目标，来向投资者验证散热环节国产替代对后续业绩的实质性贡献？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！2026年上半年，公司深耕2D+多维堆叠先进封装，以VISIONS 平台为核心支撑，集成硅中介层、垂直堆叠及嵌入式多桥接等多元技术方案，实现多颗Chiplet异构集成与更高互连密度、更优能效比。技术层面，硅通孔（TSV）间距持续微缩，散热与翘曲控制达行业领先水平。此外，公司时刻关注自主可控、国产替代、设备材料国产化的政策及产业趋势，从中抓住机会，为股东创造价值。谢谢！
投资者：随着新一代LPDDR向高I/O、高速率发展，请问公司是否已具备1000 Ball以上高密度BGA/PoP存储产品的量产封装能力？相关平台目前处于技术开发、客户验证还是规模量产阶段？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！公司持续围绕存储封装在高堆叠、高密度、高良率等方向开展技术储备和工艺优化，持续提升存储封测产品的性能与可靠性。例如，公司已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术，具备LPDDR 12DP工程能力开发基础，在高层数存储堆叠封装领域形成了较为扎实的技术积累。谢谢！
投资者：公司半年报披露完成LPDDR 16DP产品技术方案开发。请问16DP是否是在已有成熟LPDDR量产平台上的进一步升级？公司此前8DP、12DP等较低堆叠产品是否已实现规模量产？
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！公司持续围绕存储封装在高堆叠、高密度、高良率等方向开展技术储备和工艺优化，持续提升存储封测产品的性能与可靠性。例如，公司已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术，具备LPDDR 12DP工程能力开发基础，在高层数存储堆叠封装领域形成了较为扎实的技术积累。谢谢！
投资者：董秘您好，公司VISionS平台目前采用客户提供硅中介层半成品来料加工模式，公司尚不具备硅中介层晶圆自研自产能力，国家集成电路大基金也在努力帮高端封装行业打通上下游补齐短板。请问：1）公司是否有明确计划，通过并购具备12英寸硅中介层TSV制造能力的标的补齐该短板？2）补齐硅中介层短板，公司优先级是自研、产业合作还是并购？3）未来是否有计划增资用于硅中介层相关资产收购？谢谢。
通富微电董秘：尊敬的投资者，您好！2026年上半年，公司深耕2D+多维堆叠先进封装，以VISIONS 平台为核心支撑，集成硅中介层、垂直堆叠及嵌入式多桥接等多元技术方案，实现多颗Chiplet异构集成与更高互连密度、更优能效比。技术层面，硅通孔（TSV）间距持续微缩，散热与翘曲控制达行业领先水平。关于硅中介层的商业模式，公司将持续关注并评估。谢谢！
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