罗姆-第5代SiC MOSFET | 申报2026第八届金辑奖中国汽车新供应链百强

盖世汽车
 来自上海市

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报奖项:中国汽车新供应链百强

申报领域:车规级芯片

申报技术:第5代SiC MOSFET

创新点:高温下导通电阻可降低约30%

技术描述

罗姆在开发第5代SiC MOSFET的过程中,通过改进器件结构并优化制造工艺,与以往的第4代产品相比,成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中,该产品有助于缩小单元体积,提高输出功率。

新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。

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“金辑奖”由盖世汽车发起,秉承“发现好公司、推广好技术、成就产业人”的使命。2026年,第八届金辑奖以“中国方案向全球”为年度主题,聚焦汽车产业核心技术与创新赛道,寻找在中国市场形成、经过中国汽车产业验证,并具备全球复制价值的技术、产品、工程体系与产业协同能力。围绕真实问题、产业验证、全球适配与长期价值,金辑奖将依托盖世汽车32万家企业供应链数据库及产业研究能力,通过企业申报、产业数据和专家评审等多维度评价,发现具有产业价值与全球潜力的创新成果,并进一步沉淀为面向全球汽车产业的创新案例库。

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