申报奖项：最佳技术实践应用奖
申报领域：车规级芯片
申报技术：8Gb SPI NAND Flash （ DS35X8GM-A1X ）
创新点：符合 AEC-Q100 Grade1标准 串行存储方案，小尺寸高可靠
技术描述：
电压/Voltage：1.8V/ 3.3V
温度/Temperature： -40℃~125℃
容量/Density： 8Gb
封装/Package：BGA24 / LGA8x6
速度/Speed：83MHz / 104MHz
产品通过AEC-Q100 Grade1认证，作为单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。在车规领域，广泛运用在通讯模组，蓝牙，辅助驾驶，ADAS，前视一体机，智慧座舱，倒车雷达，汽车仪表盘等场景模块中。
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