9月16日消息，据路透社报道，韩国内存巨头 SK 海力士正在与英特尔展开探讨，计划首次在美国本土建立内存芯片生产线。
潜在的合作方案包括：SK 海力士租赁英特尔位于俄亥俄州延期已久的大型晶圆厂部分产能；或者与英特尔及急需锁定内存供应的几家美国顶级云计算巨头组建联合企业。如果交易达成，不仅能为陷于困境的英特尔解围，也将成为特朗普政府推动芯片制造业回流美国的重大政绩。目前，全球对 AI 基础设施和数据中心爆式投入，已导致高性能内存芯片陷入严重短缺。
然而，来自韩国政府的潜在反对成为了最大阻碍。消息人士指出，高带宽内存（HBM）和先进 DRAM 均被韩国官方认定为涉及国家安全与产业竞争力的“国家核心技术”。韩国通商产业部明确表示，任何决策虽然属于企业自主行为，但若涉及核心技术输出，必须严格接受《产业技术保护法》的穿透式审查。
从商业角度来看，在美国制造半导体的成本远高于韩国本土。除了居高不下的劳动力与建设开支外，半导体配套供应链大多集中在亚洲，这进一步拉高了在美生产的综合成本。但对于今年7月刚刚在纳斯达克完成二次上市的 SK 海力士而言，赴美设厂有着难以回避的现实压力。SK 集团董事长崔泰源此前坦言，公司正承受着来自客户与美国官方的巨大游说与施压，他认为“只要条件允许，就必须在美国建厂”。
对于英特尔而言，与 SK 海力士合作将极大缓解其财务阵痛。英特尔曾承诺投资 1000 亿美元在俄亥俄州打造全球最大的晶圆制造基地，但由于财务恶化，工厂竣工时间已从原定的 2025 年推迟到了 2030 年之后。
目前，SK 海力士正处于极其尴尬的夹缝中。一方面，美国商务部高官不断发出关税威胁，称若韩国与台湾芯片企业不增加在美国本土的产量，将对其征收最高达 100% 的高额关税；另一方面，韩国政府则希望将海力士等企业的对美投资作为与华盛顿进行关税谈判的筹码，同时要求海力士优先保障韩国西南部的本土芯片产业集群建设。