9月28日，A股当前总市值排名第一的长鑫科技（688825.SH）晚间发布公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
公告显示，技术研发项目总投资241亿元，拟投入超募资金130亿元，建设期30个月。项目依托公司现有产业化基础与技术积累实施，作为研发项目不单独测算投资回报，效益通过技术赋能主营产品、带动业务增长体现。项目落地将推动技术创新与成果转化，持续增强研发实力，巩固市场地位，提升核心竞争力。
长鑫存储产品（合肥）存储器晶圆后道测试基地二期项目总投资108亿元，拟以增资、借款方式投入超募资金50亿元，建设期37个月。项目收益指标合理，经济效益良好，可补齐后道测试产能缺口、保障供应链安全，降低测试成本，完善IDM全产业链布局，提升运营水平与综合竞争力。
长鑫科技表示，面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性 能上不断实现质的飞跃。这不仅是满足市场需求的关键，更是构筑企业深厚护城河、提升抗风险能力的必由之路。因此拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，也有利于公司更快地推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。
此外，测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善IDM模式、增强公司的整体竞争力。
截至9月28日收盘，长鑫科技总市值达3.65万亿元，稳居A股市值榜首。