【CNMO科技消息】10月13日，据媒体消息，格芯公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线，目标是为机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备提供低功耗、高集成度芯片。公司称，第一代FDX Fusion预计达到7纳米级数字性能，并计划在德国德累斯顿工厂于2028年开始制造。
格芯产品
CNMO科技注意到，格芯所称的7纳米级数字性能指的是数字逻辑性能等级，并不代表其恢复了2018年暂停的7纳米FinFET制程，也不能直接等同于其他晶圆厂的7纳米工艺节点或晶体管密度。
FDX Fusion延续格芯的FD-SOI路线。该技术在硅层下设置绝缘层，并支持背偏置调节，可根据工作负载在功耗与性能之间进行调整。格芯称，该技术有助于降低漏电、优化能效，并适合整合射频、模拟和数字电路。新平台还计划结合嵌入式非易失性存储器、存内计算和高密度逻辑。
格芯公布的指标包括射频器件的ft/fmax最高可达0.5太赫兹，以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍。公司目前未公布足够的详细设计数据供外部独立验证。这里的0.5太赫兹为射频器件指标，并非芯片处理器的运行频率。
AI
格芯将该工艺定位于物理AI，即设备在本地感知环境、处理数据并及时作出反应的应用，包括边缘推理、传感器融合、机器人、自动化设备、汽车电子、自主系统和智能连接设备。其设计重点并非单纯追求最小晶体管，而是尝试在同一平台中整合感测、计算、无线通信、控制和存储，以降低系统复杂度、延迟和功耗。
格芯表示，已与部分客户开展早期评估，但尚未公布具体芯片产品或量产客户订单。按公司路线图，FDX Fusion演示芯片预计于2027年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划在2027年年中提供，量产目标为2028年。
格芯同时说明，德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准即将推进的IPCEI先进半导体技术项目，因此路线图仍存在政策审批条件。