【CNMO科技消息】10月15日，根据Counterpoint Research存储市场追踪与预测，2026年第二季度，长江存储按NAND出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，超过铠侠和美光。若将SK海力士旗下Solidigm的出货量剥离计算，长江存储的排名将进一步提升至第二位。
长江存储3D NAND闪存
与此同时，在2025年第一季度至2026年第一季度期间，长江存储的全球NAND营收份额从9%升至14%，增幅超过五成，是同期主要NAND厂商中营收份额增长较快的厂商。受AI需求拉动，整个NAND市场受到提振，其营收同比增幅最高达到478%。
Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi表示：“在AI推动NAND行业进入超级周期的背景下，长江存储已成为增长最快的厂商。尽管面临地缘政治的影响，长江存储在能力和产能方面的投资依然审慎且有效。2026 年长江存储的营收增速有望达到行业及同业增速的6倍。”
长江存储排名持续上升的背后，是其自主研发的Xtacking架构。该架构在两片独立的晶圆上分别制造存储阵列和外围逻辑电路，随后将两者键合在一起，使每一层都能采用最适合各自需求的制造工艺。这种技术优势极具分量的印证——这是鲜有中国挑战者能企及的成就：全球最大的NAND 制造商三星电子于2025年2月获得了长江存储Xtacking专利的授权许可。”
这一技术优势背后还有广泛的研发投入作为支撑。根据长江存储IPO招股书， 2023年至2025年累计研发投入达到142亿元人民币，占营收比例超过5%；研发人员共计4796人，占员工总数的30%以上；已获授权的发明专利达5611项。
Xtacking技术效果图
长江存储的下一步布局，是将Xtacking技术优势从NAND延伸至DRAM——这是一个其此前从未实现规模化量产的市场。自2025年10月以来，长江存储一直在其第二座晶圆厂进行第二代16Gb LPDDR5芯片的研发与测试工作，数据传输速率为7500MT/s，月产能约为5000片晶圆，且未采用高介电常数金属栅极（HKMG）技术。与此同时，该公司正在研发一款速度更快、数据传输速率达到9600MT/s的版本。该版本采用垂直沟道晶体管（VCT）4F²存储单元架构，属于更为根本性的架构重新设计。如果该产品达到预期性能目标，计划将在第三座晶圆厂实现量产。