方正微电子推出DIP32 SiC功率模块,面向车规小三电

芯东西
 来自北京

芯东西(公众号:aichip001)

作者 | ZeR0

编辑 | 漠影

芯东西10月16日报道,方正微电子推出SiC DIP32功率模块,搭载自研车规芯片,通过3000小时可靠性测试。

新能源汽车OBC、悬架控制、空调压缩机等车载电气系统长期承受高低温循环,分立器件方案布线繁杂;高温下器件参数漂移显著,发热高,性能不稳定,很难同时实现小型化、高效率与长寿命。新发布的功率模块正是针对这些痛点。

耐压裕量高,抗高压冲击;高温下参数漂移小,性能稳定。标准化集成方案可减少布线与调试,为车载小三电提供紧凑可靠的SiC功率方案。

方正微电子本次推出的SiC DIP32功率模块,首发1200V 35mΩ及1200V 60mΩ两大产品,精准匹配OBC、悬架电控、车载DC-DC功率需求。

依托自主迭代的先进工艺平台,其产品矩阵将持续演进,后续将陆续推出750V 20mΩ、1200V 16mΩ、1500V 20mΩ产品型号,覆盖多电压平台、多功率等级应用场景。

方正微电子推出DIP32 SiC功率模块,面向车规小三电

▲全温域超高耐压,同等芯片面积出流更强

同时,方正微电子将持续丰富封装产品线,后续逐步落地DIP4in1、DIP21、DIP29全系列封装产品,丰富整套“功率积木”的零件库,为客户提供多元化选型方案,从源头保障供应链稳定可控,满足车企长期量产交付。

车载工况温差跨度大,高低温交替冲击极易引发器件耐压衰减,给OBC、悬架电控、DC-DC系统运行带来安全隐患。

方正微电子推出的DIP32模块实现-50℃~175℃全温域稳定承压,搭载的芯片击穿电压BV超1450V,相较国际主流友商产品,耐压余量提升120V,为复杂车载工况预留充足安全冗余,有效规避高压击穿、系统失效风险。

对于相同面积芯片,该模块采用的自研芯片出流能力较竞品提升10%,真正实现面积不增加,载流更强劲,完美适配车载模块的小型化、高功率密度设计趋势。

方正微电子推出DIP32 SiC功率模块,面向车规小三电

▲车规级全链路可靠,高温性能出众

高温参数漂移、长期工况失效,是车载功率器件面临的核心挑战。

方正微电子从自研SiC芯片到模块封装,全链路完成严苛可靠性验证。其产品在175℃极限高温工况下,RDS (on)为56mΩ,相较国际友商同规格产品,高温参数漂移量减少38.5%,大幅缓解高温工况下器件性能衰减问题。

更优的高温稳定性,直接带来系统级收益:器件导通损耗大幅降低,整机转换效率显著提升,可缩减10%以上散热体积,降低散热器、壳体等配套物料成本,助力小三电系统实现轻量化、小型化升级。

DIP32模块已顺利通过AQG324车规权威认证与2000小时可靠性验证;核心自研SiC芯片则是完成3000小时加严可靠性测试,3倍于行业常规验证标准。

双重长效严苛验证,充分保障产品在高频振动、高低温循环、长期满载运行的车载复杂工况下稳定工作,大幅降低终端产品售后故障率,适配高标准车规小三电。

传统小三电OBC、悬架电控、DCDC方案多采用分立单管,存在布线复杂、杂散电感大、散热不均、调试难度高的痛点,极大限制系统功率密度提升。

方正微电子推出的SiC DIP32集成式功率模块,可优化传统分立方案,升级核心参数:杂散电感降低35%以上,系统热阻下降超15%。

方正微电子推出DIP32 SiC功率模块,面向车规小三电

▲重构小三电碳化硅解决方案

更低的杂散电感可有效抑制开关震荡、降低电磁干扰,简化OBC、悬架电控、DCDC的EMC调试;更低的系统热阻,让热量传导更高效,进一步提升整机功率密度,大幅缩短客户研发调试周期,降低整机设计与量产成本。

无需拼搭分立器件,直接选用标准化功率积木,可快速完成功率回路搭建。从参数性能到系统收益,从单点产品到全矩阵布局,方正微电子计划持续深耕车载碳化硅功率领域,推动新能源汽车小三电系统高效化、小型化、高可靠升级。

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