智通财经APP获悉，高盛在10月16日发布的研报中指出，存储芯片制造商长鑫科技(688825)在新一代DRAM存储单元架构方面取得进展，引发全球存储芯片行业对未来竞争格局的担忧。自相关消息公布以来，三星电子、SK海力士(SKHY.US)、美光科技(MU.US)等主要存储芯片企业股价大幅下挫，六家主要存储厂商合计市值蒸发约7380亿美元。不过，高盛认为，尽管长鑫存储正迅速扩大产能，市场可能高估了其短期内在先进DRAM及高带宽内存(HBM)领域追赶韩国龙头企业的能力。
10月10日，有消息披露长鑫存储正在推进名为4F²的新型DRAM存储单元架构。该公司总裁同时表示，计划在2026年底前推出基于4F²架构的新型服务器内存产品。
这一消息引发全球存储芯片板块剧烈调整。根据高盛统计，10月1日至15日期间，三星电子股价下跌20%，SK海力士下跌25%，美光科技下跌11%，闪迪(SNDK.US)下跌11%，铠侠下跌26%，长鑫存储自身也下跌15%。上述六家企业合计市值缩水约7380亿美元。
高盛指出，长鑫存储的技术进展并非导致存储股下跌的唯一原因。同期市场还受到AI基础设施融资风险、信用市场担忧以及美国通胀数据超预期等因素影响。
尤其值得注意的是，与4F²技术关联较小的NAND闪存制造商铠侠和闪迪同样遭遇大幅抛售，而DRAM现货价格在此期间仍持续上涨。这表明，存储股的调整可能更多反映市场情绪变化，而非行业基本面已经明显恶化。
4F²架构有望提高存储密度 但量产仍面临挑战
4F²是下一代DRAM技术的重要发展方向之一。传统DRAM通常采用6F²存储单元布局，而4F²架构通过优化存储单元结构，将单个存储单元的占用面积缩小至2F×2F，从而能够在相同芯片面积内集成更多存储单元，提高存储密度。理论上，在其他条件相同的情况下，4F²存储单元面积比6F²减少约三分之一，有助于提高单位晶圆的存储容量。
高盛认为，对于受到先进半导体设备出口限制影响的存储厂商而言，4F²架构具有特殊意义。由于获取阿斯麦(ASML.US)先进极紫外光刻(EUV)设备受到限制，厂商难以完全依赖缩小制程特征尺寸来提高DRAM密度，而4F²架构提供了另一条技术路径。长鑫存储计划结合垂直环绕栅极晶体管(VSG)及晶圆对晶圆(W2W)混合键合技术，以改善存储单元漏电问题，并允许存储单元与控制电路分别制造。
不过，这一技术方案也带来了新的制造难题，包括垂直晶体管的一致性、存储电容的电荷保持能力、密集布线之间的干扰，以及混合键合所需的高精度对准。
高盛警告，这些技术挑战可能推高制造成本、降低良率，从而抵消存储密度提升带来的部分收益。该行认为，根据目前披露的信息，长鑫存储的4F²产品似乎仍处于设计阶段，目标是在2026年底进入样品阶段。即使能够按计划取得进展，后续客户认证及高良率量产仍将面临更大挑战。
三星、SK海力士同步布局 先进制程差距依然明显
值得注意的是，长鑫存储并非唯一推进4F²技术的厂商。根据高盛援引的当地媒体报道，三星电子已成功制造采用4F²架构及垂直沟道晶体管(VCT)技术的10纳米以下DRAM功能芯片，并计划在2026年底完成基于4F²架构的10a DRAM开发，2027年开展客户认证，2028年实现量产。
SK海力士也已将4F²架构纳入下一代DRAM技术路线图，并于2026年7月通过测试阵列验证了相关技术的读写功能。
高盛认为，决定4F²技术商业价值的关键，并非能否在实验室中实现，而是能否在大规模生产中取得具有竞争力的良率、成本及经济回报。
从现有技术水平来看，韩国存储厂商仍保持领先。高盛指出，三星电子和SK海力士目前的DRAM产能主要集中于1b制程节点，并逐步向更先进的1c节点转移。相比之下，长鑫存储当前仍以1z节点产品为主，预计2027年也将继续主要依赖这一制程。
由于先进DRAM制程越来越依赖EUV光刻技术，缺乏相关设备可能限制长鑫存储向1b、1c等先进节点推进的速度，并带来额外成本压力。
长鑫存储2028年产能料增长77% 但仍难满足国内需求
尽管先进技术仍存在差距，高盛承认，长鑫存储在产能扩张方面的进展可能超出市场此前预期。该行预计，到2026年底，三星电子、SK海力士及长鑫存储的DRAM晶圆月产能将分别达到77万片、66万片和29万片。
到2028年底，长鑫存储月产能预计将进一步增长至51.3万片，较2026年底增加77%。同期，三星电子月产能预计增长21%至93万片，SK海力士增长17%至77万片。这意味着，长鑫存储的产能增速将明显快于两家韩国龙头企业，双方的产能差距有望逐步缩小。
不过，高盛强调，即使按照上述积极扩产假设，到2028年，长鑫存储预计仍只能满足国内约50%的DRAM需求及40%的HBM需求。因此，中国市场仍有相当一部分存储芯片需求需要依赖其他供应商，三星电子和SK海力士未来仍有望在中国市场获得重要业务机会。
HBM技术壁垒更高 长鑫存储追赶难度较大
在AI需求快速增长推动下，HBM已成为全球存储芯片竞争的核心领域之一。高盛认为，与传统DRAM相比，长鑫存储在HBM领域缩小与韩国龙头企业的差距将面临更大挑战。
HBM的竞争力不仅取决于DRAM芯片本身，还涉及先进封装技术以及存储堆叠底部基础逻辑芯片的制造能力。随着HBM技术不断升级，基础逻辑芯片正逐步采用更加先进的晶圆代工制程。例如，三星电子HBM4产品的基础逻辑芯片已采用4纳米制程。
高盛指出，如果长鑫存储希望开发具有竞争力的下一代HBM产品，本土晶圆代工厂也需要具备大规模生产先进制程基础逻辑芯片的能力。
但由于先进半导体制造设备仍受到出口限制，相关基础逻辑芯片的供应能力可能成为长鑫存储追赶全球HBM领先企业的重要瓶颈。
高盛看好三星电子及SK海力士 认为市场悲观情绪过度
对于近期全球存储股的大幅调整，高盛认为，市场可能正确认识到了存储厂商加速扩产带来的竞争压力，但同时高估了其在短期内实现先进技术突破的能力。该行指出，三星电子当前股价对应2027年及2028年预期市净率分别约为1.2倍和0.9倍，SK海力士则分别约为1.4倍和0.9倍。
在高盛看来，两家公司2028年预期市净率已降至1倍以下，意味着市场实际上已提前反映了2028年存储行业可能进入下行周期的悲观情景。但这与高盛认为存储行业景气度有望在较长时间内维持高位的判断存在明显差异。该行认为，从基本面及估值角度来看，三星电子和SK海力士当前的风险回报比具有吸引力。
高盛维持两家公司“买入”评级，对三星电子普通股的12个月目标价为50万韩元，对SK海力士的目标价为350万韩元。不过，该行也提醒，虽然相关股票估值已经具有吸引力，但短期内推动股价迅速反弹的催化因素可能仍然有限。