【CNMO科技消息】10月18日，据《首尔经济日报》报道，三星电子已接受英伟达的要求，决定采用台积电3纳米（N3P）制程为其下一代定制HBM——NV-HBM生产基底裸片（Base Die）。这标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电展开合作，也意味着其沿用多年的“交钥匙”模式在英伟达的标准化要求面前出现关键松动。
三星
此前，三星对HBM采取“交钥匙”策略，核心DRAM芯片与基底裸片均在其内部产线完成。三星今年率先量产的HBM4，其基底裸片采用的正是自家SF4（4nm）逻辑制程；规划中的HBM4E同样基于SF4，未来HBM5则计划升级至SF2（2nm）。
但英伟达的要求改变了这一路径。报道援引业界消息称，英伟达已要求三星、SK海力士及美光三家HBM供应商，统一采用台积电3nm工艺制造NV-HBM的基底裸片，同时核心DRAM芯片需基于第六代DRAM（1c）工艺。三星在内部评估后接受了这一要求，但明确表示标准HBM及面向其他客户的定制产品仍将维持自主生产模式。
台积电
三星选择妥协，除了英伟达的客户话语权之外，也有自身产能的硬约束。三星SF4（4nm）产线目前月产能约3万片晶圆，其中50%至60%已分配给HBM4基底裸片，折合约1.5万片/月。这些产能需要优先满足三星自身HBM4/HBM4E的量产需求。在SF4已经满负荷运转的情况下，再为英伟达NV-HBM腾出额外逻辑产能并不现实。
不过，三星并未完全关上自主制造NV-HBM基底裸片的大门。报道称，三星仍在评估若台积电产能不足以覆盖NV-HBM需求时，由自家代工厂承接部分生产的可能性。这为后续合作保留了弹性。